容量?jī)r(jià)格比致勝：英睿達(dá)P3 2TB評(píng)測(cè)

今年9月，英睿達(dá)推出了P3和P3 Plus兩款SSD，分別支持PCIe 3.0和PCIe 4.0接口。本次PCEVA評(píng)測(cè)的是在PCIe 3.0接口下滿速的英睿達(dá)P3 2TB。

相比上代P2，英睿達(dá)P3的設(shè)計(jì)風(fēng)格更加接近高端P5系列。黑色簡(jiǎn)約的正面標(biāo)簽上是商標(biāo)、型號(hào)和接口信息。容量、序列號(hào)、固件版本等內(nèi)容則放到了背面標(biāo)簽中。

當(dāng)前很多筆記本電腦的M.2插槽由于空間限制而無法安裝雙面PCB SSD。單面PCB設(shè)計(jì)有利于提供更加廣泛的兼容性。

英睿達(dá)P3使用了跟P3 Plus相同的群聯(lián)PS5021-E21T主控，沒有因?yàn)镻CIe接口規(guī)格降低而選擇更老的主控。主控位于PCB中間位置，兩側(cè)各有兩顆美光176層3D QLC閃存顆粒。由于閃存單die容量高達(dá)1024Gb，所以2TB容量只需4顆4die封裝的閃存顆粒。

PS5021-E21T是群聯(lián)推出的第二代主流級(jí)PCIe 4.0主控，在英睿達(dá)P3當(dāng)中，PS5021-E21T主控降至PCIe 3.0使用。相比上代PS5019-E19T，新主控從28納米升級(jí)至12納米，制程工藝達(dá)到和PCIe 4.0八通道旗艦級(jí)主控相同的水平，有助于降低功耗減少發(fā)熱。

英睿達(dá)P3提供從500GB到4TB四種容量選項(xiàng)，均為5年保修，本次評(píng)測(cè)的是2TB版本。

測(cè)試平臺(tái)：

CPU：AMD Ryzen 9 5900X

主板：Gigabyte X570 AORUS ELITE WIFI

內(nèi)存：DDR4-3000 8Gx2

硬盤：Crucial P5 Plus 1TB（OS）

Crucial P3 2TB

系統(tǒng)：Windows 11 22H2

驅(qū)動(dòng)：stornvme

CrystalDiskInfo信息識(shí)別：

CDI能夠識(shí)別NVMe固態(tài)硬盤的傳輸模式和標(biāo)準(zhǔn)SMART健康信息。

除了CrystalDiskInfo之外，也可以使用Storage Executive來查看英睿達(dá)P3的健康狀態(tài)。官方工具箱軟件還支持固件檢測(cè)和升級(jí)等維護(hù)功能。

工具箱提供的SMART信息比CrystalDiskInfo更全面，基本上相當(dāng)于加上了smartmontools后的結(jié)果，能夠查看SSD溫度管理記錄（過熱事件出現(xiàn)次數(shù)和持續(xù)時(shí)間等）。

HWiNFO64識(shí)別信息顯示，英睿達(dá)P3支持512字節(jié)PCIe MPS，因而可以在AMD銳龍平臺(tái)上發(fā)揮出3600MB/s以上的讀取性能。

Flash ID工具正確識(shí)別出群聯(lián)PS5021-E21主控及美光176層堆疊3D QLC閃存(N48R)，閃存I/O接口速度為1600MT/s，也就是說理論上它具備做成P3 Plus、實(shí)現(xiàn)5000MB/s順序讀取的硬件條件。

此外，固件預(yù)設(shè)信息顯示閃存具有1100次QLC擦寫壽命和6萬次SLC模式擦寫壽命，如果按5倍寫放大來算的話正好能和440TBW的標(biāo)稱寫入耐久度對(duì)應(yīng)。需要說明的是SSD產(chǎn)品的TBW保修限制是按主機(jī)寫入量來計(jì)算的，跟閃存擦寫次數(shù)無關(guān)，多數(shù)NVMe SSD也不提供具體的閃存擦寫循環(huán)計(jì)數(shù)信息。

基準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目1：理論帶寬測(cè)試

通過CrystalDiskMark可以測(cè)試SSD的理論讀寫性能。英睿達(dá)P3 2TB實(shí)測(cè)順序讀寫3675/3271 MB/s，高于標(biāo)稱值的3500/3000 MB/s；實(shí)測(cè)4K隨機(jī)讀寫697K/746K IOPS，高于標(biāo)稱值的650K/700K IOPS。

基準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目2：PCMark 10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測(cè)試

PCMark 10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)針對(duì)當(dāng)代最新固態(tài)硬盤的廣泛測(cè)試，涵蓋了系統(tǒng)開機(jī)啟動(dòng)、Adobe設(shè)計(jì)套件應(yīng)用、Office辦公套件應(yīng)用、圖片/ISO文件拷貝復(fù)制、多個(gè)游戲加載過程等測(cè)試內(nèi)容。測(cè)試需要至少80GB的硬盤空間，單次測(cè)試產(chǎn)生的寫入量達(dá)到204GB，復(fù)雜度超過了PCMark 8存儲(chǔ)測(cè)試。

英睿達(dá)P3 2TB在PCMark 10完整系統(tǒng)盤基準(zhǔn)測(cè)試中獲得2523分，存儲(chǔ)帶寬412.98MB/s，平均存取時(shí)間68微秒，大體上屬于主流級(jí)水平。

基準(zhǔn)測(cè)試項(xiàng)目3：3DMark存儲(chǔ)性能測(cè)試

3DMark存儲(chǔ)基準(zhǔn)測(cè)試涵蓋了戰(zhàn)地5、使命召喚15：黑色行動(dòng)4、守望先鋒三款游戲的啟動(dòng)加載過程、在運(yùn)行守望先鋒的同時(shí)通過OBS記錄1080P游戲視頻、從EPIC平臺(tái)安裝天外世界、天外世界游戲進(jìn)度保存以及將Steam游戲反恐精英：全球攻勢(shì)從移動(dòng)硬盤拷貝到系統(tǒng)盤的過程，涵蓋了PC游戲玩家所能遇到的方方面面。

英睿達(dá)P3 2TB在3DMark存儲(chǔ)測(cè)試中取得2727分，存儲(chǔ)帶寬468.16MB/s，平均存取時(shí)間66微秒，高于同級(jí)產(chǎn)品的平均水平。

進(jìn)階測(cè)試項(xiàng)目1：SLC緩存測(cè)試

通過無文件系統(tǒng)條件下的IOMeter寫入測(cè)試可以得知，在空盤條件下英睿達(dá)P3 2TB可以提供大約500GB的SLC寫入緩存空間，說明其采用了全盤SLC算法，即利用所有空白閃存空間用于模擬SLC寫入。在SLC緩存用盡后SSD直接進(jìn)入到邊釋放邊寫入狀態(tài)，寫入速度大約94MB/s。

在填充50%盤內(nèi)空間之后，英睿達(dá)P3 2TB的可用SLC緩存空間接近300GB，說明此時(shí)仍為全盤SLC模式，并且SLC緩存的釋放比較積極，對(duì)于緩?fù)鈱懭胨俣炔⒉缓每吹腝LC SSD來說，盡全力避免用到緩?fù)庑阅軐?duì)保障用戶體驗(yàn)是很重要的。

進(jìn)階測(cè)試項(xiàng)目2：溫度壓力測(cè)試

溫度壓力測(cè)試在室溫22度、被動(dòng)散熱條件下進(jìn)行。通過IOMeter對(duì)英睿達(dá)P3 2TB進(jìn)行8GB范圍128KB QD32順序讀取測(cè)試，由HWiNFO64每秒記錄速度和溫度數(shù)據(jù)。

在10分鐘的滿載讀取測(cè)試過程中，英睿達(dá)P3的默認(rèn)溫度（通常是閃存溫度）最高達(dá)到67度，溫度2（通常是主控溫度）最高達(dá)到87度，綜合每秒速度記錄數(shù)據(jù)和Storage Executive工具箱檢測(cè)結(jié)果，可以確認(rèn)整個(gè)溫度壓力測(cè)試過程中未出現(xiàn)過熱限速的情況。群聯(lián)PS5021-E21T主控的溫度表現(xiàn)確實(shí)不錯(cuò)，PCIe 3.0接口在功耗方面也有一定優(yōu)勢(shì)，英睿達(dá)P3滿負(fù)荷使用時(shí)也不容易過熱限速。

進(jìn)階測(cè)試項(xiàng)目3：最終幻想14游戲加載

對(duì)日常實(shí)際應(yīng)用性能的測(cè)試大多因?yàn)镾LC緩存的影響而無法直接體現(xiàn)出真實(shí)的讀取性能。為此我們結(jié)合最終幻想14 Benchmark和IOMeter填盤手段，分別測(cè)試有持久SLC緩存影響的游戲加載時(shí)間和排除SLC緩存干擾的純TLC/QLC加載時(shí)間。

在有SLC緩存影響的情況（如剛剛安裝寫入的游戲）下，英睿達(dá)P3 2TB的游戲加載成績(jī)?yōu)?.906秒。排除SLC緩存影響后（日常實(shí)際使用），英睿達(dá)P3 2TB的游戲加載成績(jī)?yōu)?2.777秒，屬于QLC閃存SSD的正常表現(xiàn)。

總結(jié)：